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馬弗爐爐內(nèi)氣氛對(duì)硅碳棒的影響

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爐內(nèi)氣氛對(duì)硅碳棒的影響:     

      (1)干燥空氣的影響:硅碳棒能在高溫(1600℃)、干燥的空氣中長期使用,電阻緩慢增加。氧氣(O2)與SiC在高溫時(shí)發(fā)生反應(yīng),生成二氧化硅(SiO2)。由于硅碳棒表面形成了一層SiO2保護(hù)膜,因此硅碳棒具有很強(qiáng)的抗氧化性。

      (2)水蒸氣的影響:水蒸氣(H2O)在1100℃時(shí)與SiC發(fā)生強(qiáng)烈化學(xué)反應(yīng),生成Si、SiO2和C。硅碳棒表面出現(xiàn)裂紋,電阻增長速度很快。

      (3)氮?dú)猓∟2)的影響:當(dāng)硅碳棒表面溫度達(dá)到1400℃時(shí),N2就與SiC發(fā)生反應(yīng),生成氮化硅,使硅碳棒的電阻值顯著增長。

      (4)氫氣(H2)的影響:在1250℃時(shí),H2與SiC發(fā)生反應(yīng),生成甲烷(CH4),破壞SiC發(fā)熱體。

     (5)氨氣(NH3)的影響:NH3在高溫時(shí)可分解成成N2和H2。故使用溫度應(yīng)控制在1250℃以下。

      (6)二氧化硫(SO2)的影響:SO2在1300℃與SiC反應(yīng),故使用溫度應(yīng)控制在1300℃以下。

      (7)氯氣(Cl2)的影響:Cl2在600℃時(shí)就會(huì)與SiC發(fā)生反應(yīng),在1200℃時(shí),Cl2會(huì)把硅碳棒分解。

4、 SiC與鹽酸(HCL)、硫酸(H2SO4)在高溫時(shí)不發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。濃磷酸(H3PO4)在250℃時(shí)與SiC發(fā)生反應(yīng),生成氧氣(O2)、甲烷(CH4)、二氧化碳(CO2)和二氧化硅(SiO2)。濃硝酸(HNO3)與氫氟酸(HF)的混合物在常溫下能溶解SiC。

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